SK hynix разрабатывает MCR DIMM — самый быстрый в мире модуль серверной памяти

Компания SK hynix Inc. (или «компания», www.skhynix.com ) объявила сегодня о разработке рабочих образцов двойного встроенного модуля памяти DDR5 1 Multiplexer Combined Ranks 2 (MCR), самого быстрого в мире продукта DRAM для серверов. Подтверждено, что новый продукт работает со скоростью передачи данных не менее 8 Гбит/с, что как минимум на 80 % быстрее, чем 4,8 Гбит/с существующих продуктов DDR5.

MCR DIMM — это результат нестандартного мышления, направленный на повышение скорости работы DDR5. Бросая вызов преобладающему представлению о том, что скорость работы DDR5 зависит от скорости самой микросхемы DRAM, инженеры стремились найти способ повысить скорость модулей вместо микросхем для разработки новейшего продукта.

SK hynix разработала продукт таким образом, чтобы обеспечить одновременную работу двух рангов за счет использования буфера данных 3 , установленного в MCR DIMM на основе технологии Intel MCR.

  1. Двойная скорость передачи данных (DDR), стандарт DRAM, в основном используемый для серверов и клиентских приложений, был разработан до пятого поколения. MCR DIMM — это модульный продукт с несколькими микросхемами DRAM, прикрепленными к плате, и повышенной скоростью в результате одновременной работы двух рангов.
  2. Набор основных единиц передачи данных, отправляемых в ЦП из модуля DRAM. Ранг обычно относится к 64 байтам данных, которые должны быть переданы в центральный процессор в виде пакета..
  3. Буфер. Компонент, который оптимизирует производительность передачи сигнала между DRAM и ЦП. В основном устанавливаются на модули для серверов, требующих высокой производительности и надежности.

Обеспечивая одновременную работу двух рангов, MCR DIMM позволяет одновременно передавать 128 байт данных на ЦП, по сравнению с 64 байтами, которые обычно выбираются в обычном модуле DRAM. Увеличение объема данных, отправляемых в ЦП каждый раз, поддерживает скорость передачи данных не менее 8 Гбит/с, что в два раза выше, чем у одной DRAM.

Тесное сотрудничество с деловыми партнерами Intel и Renesas стало ключом к успеху. Три компании работали вместе и сотрудничали на протяжении всего процесса от разработки продукта до проверки.

Глава SK hynix по планированию продуктов DRAM Сунгу Рю (Sungsoo Ryu) сказал, что достижение стало возможным благодаря конвергенции различных технологий. «Возможности SK hynix по проектированию модулей DRAM сочетались с передовыми технологиями Intel в области процессоров Xeon и буферной технологии Renesas, — сказал Рю. «Для стабильной работы модуля MCR DIMM необходимо плавное взаимодействие между буфером данных и процессором в модуле и вне его».

Буфер данных передает несколько сигналов, поступающих от модуля в середине, а ЦП сервера принимает и обрабатывает сигналы, поступающие через буфер.

«Компания SK hynix осуществила еще одну технологическую эволюцию памяти DDR5, разработав самый быстрый в мире модуль памяти MCR DIMM, — сказал Рю. «Наши усилия по поиску технологических прорывов будут продолжаться, поскольку мы стремимся укрепить свое лидерство на рынке серверной DRAM».

Д-р Димитриос Зиакас, вице-президент по технологиям памяти и ввода-вывода в Intel, сказал, что Intel и SK hynix лидируют в области инноваций памяти и разработки высокопроизводительной масштабируемой памяти DDR5 для серверов вместе с другими ключевыми отраслевыми партнерами.

«Предложенная технология является результатом многолетних совместных исследований Intel и ключевых отраслевых партнеров, направленных на значительное увеличение производительной пропускной способности для процессоров Intel Xeon», — сказал он. «Мы с нетерпением ждем возможности внедрить эту технологию в будущие процессоры Intel Xeon и поддержать усилия по стандартизации и разработке для нескольких поколений во всей отрасли».

Вице-президент и генеральный директор подразделения интерфейсов памяти в Renesas Самир Куппахалли сказал, что разработка Renesas буфера данных является кульминацией трех лет интенсивных усилий, охватывающих период от концепции до производства. «Мы гордимся сотрудничеством с SK hynix и Intel в стремлении превратить эту технологию в привлекательный продукт», — сказал он.

SK hynix ожидает, что рынок MCR DIMM будет расширяться за счет высокопроизводительных вычислений, которые будут использовать преимущества увеличенной пропускной способности памяти. SK hynix планирует в будущем запустить этот продукт в массовое производство.

Источник: https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-mcr-dimm/