Теперь «большая тройка» может производить CFET — следующая остановка на дорожной карте закона Мура

Концепция будущих процессоров с почти вдвое большей плотностью транзисторов начинает обретать реальные очертания, поскольку все три передовых чипмейкера продемонстрировали CFETS, или комплементарные полевые транзисторы. CFETS представляют собой единую структуру, в которой объединены оба типа транзисторов, необходимых для КМОП-логики. На Международной встрече электронных устройств IEEE, прошедшей на этой неделе в Сан-Франциско, Intel, Samsung и TSMC продемонстрировали, каких успехов они достигли на пути к следующей эволюции транзисторов.

Компании, производящие чипы, переходят от структуры устройств FinFET, используемой с 2011 года, к нанолистовым транзисторам, или транзисторам со всеми затворами. Названия отражают базовую структуру транзистора. В FinFET затвор управляет током, проходящим через вертикальное кремниевое ребро. В нанолистовом устройстве это ребро разрезано на множество лент, каждая из которых окружена затвором. CFET, по сути, берет более высокую стопку лент и использует половину для одного устройства, а половину — для другого. Это устройство, как объясняют инженеры Intel в декабрьском номере журнала IEEE Spectrum за 2022 год, позволяет построить два типа транзисторов — SFET и pFET — друг над другом в рамках единого интегрированного процесса.

По оценкам экспертов, коммерческое применение CFET начнется через семь-десять лет, но до этого момента предстоит еще много работы.

Источник: spectrum.ieee.org