Archives Декабрь 2023

Передовой 3-нм техпроцесс, разработанный TSMC, был единственным клиентом Apple, но сейчас, когда до начала 2024 года остается всего пара дней, тайваньская литейная компания, как ожидается, получит еще больше заказов на вторую итерацию своего передового узла, получившего название «N3E». Это позволит производителю нарастить объемы производства, и, согласно последнему отчету, во второй половине 2024 года производственные мощности компании вырастут до 80 процентов.

В настоящее время TSMC выполняет заказы Apple по 3-нм техпроцессу N3B, при этом, по разным данным, конкуренты производителя iPhone, такие как Qualcomm и MediaTek, предпочли выпустить свои чипсеты по 4-нм техпроцессу из-за высокой стоимости пластин. Согласно одному из предыдущих отчетов, затраты на производство только M3, M3 Pro и M3 Max составили 1 миллиард долларов, так что, глядя на эту смету, становится ясно, что только такая компания, как Apple, может понести такие расходы.

Однако в 2024 году технологическое преимущество калифорнийского гиганта может уменьшиться: издание The Elec сообщило, что во второй половине следующего года производственные мощности TSMC по 3-нм техпроцессу достигнут 80 процентов. По слухам, и Qualcomm, и MediaTek собираются выпустить Snapdragon 8 Gen 4 и Dimensity 9400, соответственно, по этому 3-нм техпроцессу, а Apple также планирует запустить «A18» для семейства iPhone 16, предположительно по этой технологии следующего поколения, что даст TSMC приток заказов для получения здорового потока доходов.

В отчете говорится, что годовой доход TSMC в этом году будет на 10 процентов ниже, чем ожидалось ранее, но благодаря увеличению производственных мощностей компания сможет показать более здоровые финансовые результаты в ближайшие пару кварталов.

Источник: wccftech.com

Компания ADATA Industrial, ведущий мировой бренд в области встраиваемых систем хранения данных промышленного класса, сегодня официально выпустила свой первый твердотельный накопитель корпоративного класса PCIe Gen4 M.2 2280 — IM2P41B8, основанный на 112-слойной технологии флеш-памяти 3D eTLC (Enterprise Triple-Level Cell). Три основных преимущества производительности — низкая задержка, большая емкость и высокая DWPD — делают его идеальным решением для высокотехнологичных рынков ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Твердотельный накопитель ADATA Industrial IM2P41B8 M.2 2280 использует 112-слойные компоненты флеш-памяти KIOXIA 3D eTLC, имеет большой объем от 480 ГБ до 1,92 ТБ, поддерживает высокоскоростной интерфейс передачи данных PCIe Gen4x4 и стандарт NVMe 1.4. В стандартной комплектации она имеет 8 каналов со скоростью чтения/записи до 7000/6200 МБ/с. IM2P41B8 оснащен буфером DRAM и технологией кэширования SLC Cache для повышения производительности случайного чтения/записи. Максимальная скорость случайного чтения/записи 4K достигает 250K/190K IOPS, что обеспечивает более плавный анализ данных в реальном времени.

Производительность этого твердотельного накопителя PCIe Gen4x4 вдвое выше, чем у предыдущего поколения PCIe 3.0. Команда разработчиков ADATA Industrial оснастила этот твердотельный накопитель PCIe 4.0 технологией Over-Provisioning, которая не только повышает производительность, но и обеспечивает 1,8 DWPD (1,8 записи на диск в день) и увеличивает количество циклов P/E Cycles с 3K до 7K. Помимо высокой производительности, IM2P41B8 также обеспечивает баланс между емкостью и сроком службы, используя преимущества 3D eTLC в корпусе, готовом удовлетворить рыночный спрос, вызванный массивными данными, вычислениями на основе искусственного интеллекта и интеллектуальными приложениями.

Источник: industrial.adata.com

В третьем квартале 2023 года объем поставок составил 68,5 млн единиц, что позволило мировому рынку ПК превзойти ожидания. Однако этот объем все равно снизился на 7,2 % по сравнению с тем же кварталом 2022 года, согласно данным International Data Corporation (IDC) Worldwide Quarterly Personal Computing Device Tracker. Несмотря на то что рынок ПК превзошел первоначальные прогнозы, на этот показатель повлияли как движущие, так и тормозящие факторы. Во-первых, увеличение объемов частично объясняется пополнением запасов, в основном на стороне потребителей. Во-вторых, были предприняты заметные усилия по борьбе с ожидаемым ростом затрат, например, ожидаемым повышением импортных пошлин в Индии. Хотя впоследствии эти пошлины были приостановлены, подобные опасения все же привели к тому, что канал поглотил больше единиц продукции, чем, вероятно, было необходимо. Наконец, дальнейшее сокращение ИТ-бюджетов привело к тому, что подразделения ПК для бизнеса оказались ниже и без того консервативного коммерческого прогноза.

Учитывая текущие условия и нестабильную макроэкономическую ситуацию, IDC понизила свой прогноз для мирового рынка ПК. Теперь ожидается, что объем поставок в 2023 году снизится на 13,8 % по сравнению с 2022 годом, который сам по себе сократился на 16,6 % по сравнению с предыдущим годом. Два года подряд двузначное падение в годовом исчислении — беспрецедентная тенденция на рынке ПК, но впоследствии она, вероятно, будет способствовать восстановлению. Несмотря на краткосрочные проблемы, IDC по-прежнему ожидает подъема рынка в 2024 году и далее, поскольку в ближайшие два года сойдутся многие факторы.

Источник: www.techpowerup.com

Концепция будущих процессоров с почти вдвое большей плотностью транзисторов начинает обретать реальные очертания, поскольку все три передовых чипмейкера продемонстрировали CFETS, или комплементарные полевые транзисторы. CFETS представляют собой единую структуру, в которой объединены оба типа транзисторов, необходимых для КМОП-логики. На Международной встрече электронных устройств IEEE, прошедшей на этой неделе в Сан-Франциско, Intel, Samsung и TSMC продемонстрировали, каких успехов они достигли на пути к следующей эволюции транзисторов.

Компании, производящие чипы, переходят от структуры устройств FinFET, используемой с 2011 года, к нанолистовым транзисторам, или транзисторам со всеми затворами. Названия отражают базовую структуру транзистора. В FinFET затвор управляет током, проходящим через вертикальное кремниевое ребро. В нанолистовом устройстве это ребро разрезано на множество лент, каждая из которых окружена затвором. CFET, по сути, берет более высокую стопку лент и использует половину для одного устройства, а половину — для другого. Это устройство, как объясняют инженеры Intel в декабрьском номере журнала IEEE Spectrum за 2022 год, позволяет построить два типа транзисторов — SFET и pFET — друг над другом в рамках единого интегрированного процесса.

По оценкам экспертов, коммерческое применение CFET начнется через семь-десять лет, но до этого момента предстоит еще много работы.

Источник: spectrum.ieee.org